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低頻經(jīng)顱磁刺激后腦電相關(guān)維數(shù)變化的分析

Changes of EEG Correlation Dimensions After Low- Frequency rTMS

作者: 李林霞;霍小林;殷正剛 
單位:中國科學(xué)院電工研究所生物電磁研究組,北京,100080;中國科學(xué)院研究生院,北京,100049%中國科學(xué)院電工研究所生物電磁研究組,北京,100080
關(guān)鍵詞: 經(jīng)顱磁刺激%腦電%相關(guān)維數(shù)%替代數(shù)據(jù)%混沌 
分類號(hào):
出版年·卷·期(頁碼):2006·25·6(615-618)
摘要:

研究了低頻經(jīng)顱磁刺激(rTMS)對大鼠腦電相關(guān)維數(shù)的影響.實(shí)驗(yàn)對八只Sprague-Dawley大鼠進(jìn)行頻率為0.5Hz,100個(gè)脈沖的閾上經(jīng)顱磁刺激,采集刺激前后大鼠的腦電信號(hào)進(jìn)行分析.腦電數(shù)據(jù)經(jīng)替代數(shù)據(jù)方法驗(yàn)證,具有非線性性質(zhì).計(jì)算刺激前后腦電的相關(guān)維數(shù),發(fā)現(xiàn)刺激后大鼠腦電相關(guān)維數(shù)比刺激前有顯著性降低,說明腦電的復(fù)雜度降低,該結(jié)果支持了低頻經(jīng)顱磁刺激對大腦有一定抑制作用的結(jié)論.

參考文獻(xiàn):

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